选择场效应半导体CMF65R080SDMOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是场效应半导体采用新的沟槽设计理念
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
CMSA010N04AU是场效应半导体（Cmos）一款高性能N沟道MOSFET，专为低压、大电流应用场景优化。
CMSC055N06是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的SGT技术设计生产，具有非常卓越的RDS（ON）。
