CMSA085DN06AU是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的SGT技术，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型场效应功率管，采用Cmos先进的栅裂工艺研发，优秀的高频特性、低导通内阻以及理想的散热性使其具有非常广泛的应用场景
CMP034N06是一款高性能的N沟道功率场效应管（MOSFET），采用先进的SGT工艺制成，具有优秀的电特性，适用于车载电子、电动工具、LED照明、不间断电源等大功率、高效率的开关场景。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的栅极多层分割槽工艺制造的一款金属氧化物功率半导体分离器件。
CMD8447B MOSFET是澳门太阳游戏城网站（Cmos）推出的一款泛应用类功率MOSFET,卓越的电器特性使其在电源开关类，驱动控制类电子电路中得到广泛应用。
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