释放高效能动力：CMH75N65EH5—650V/75A IGBT
——为您的电子电力系统注入澎湃能量与极致效率
在追求更高能效、更紧凑设计和更强可靠性的工业电力电子领域，选择一颗性能卓越的功率开关器件至关重要。场效应半导体（Cmos）CMH75N65EH5IGBT，正是为满足您苛刻应用需求而生的高效能解决方案！
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是场效应半导体采用新的沟槽设计理念，相比传统的功率IGBT制造工艺，典型的特点是在高功率应用场景下散热性更好均流性优秀，PN结反向恢复时间更短，有力地摆脱了传统工艺IGBT关闭时的拖尾影响。
一、封装形式
图示为CMH75N65EH5的封装形式和内部拓扑图，标准的TO-247大尺寸封装，为大功率应用场景带来了强劲的散热能力，我们可提供定制化封装。
二、基础参数
耐压等级：650V
持续漏极电流：90A（@TC=25℃）
优秀的散热能力：TO-247封装决定了芯片具有很大的散热载体，芯片内部体二极管PN结-壳温度RthJC只有0.45℃/W,IGBT内部结温为0.38℃/W，出色的散热能力为器件在高功率、高频性应用条件下提供有力的稳定性和安全性。
CMH75N65EH5成为工业变频器、汽车HEV/EV及新能源领域的理想选择。
三、核心优势
1.卓越效率，降低能耗：
采用先进的场截止沟槽IGBT技术，显著降低导通损耗 (Vce(sat) 典型值仅 1.47V @ 25°IC=75A)和开关损耗 (Eon/Eoff)。
更低的损耗直接转化为更高的系统效率，减少热量产生，降低散热需求和运营成本，助力实现绿色节能目标。
2.强劲电流处理能力：
75A 连续集电极电流 (Ic @ 130°C)与650V高阻断电压的完美组合。
轻松应对工业级应用中的大电流需求，提供稳定可靠的功率传输基石。
3.高速开关性能：
优化的开关特性，支持更高的工作频率。
使您的电源设计更紧凑（可减小磁性元件尺寸），提升系统动态响应速度，特别适用于PWM变频控制。
4.出色的温度稳定性和鲁棒性：
175°C最高工作结温 (Tvj)，提供宽裕的安全工作余量。
坚固的TO-247 封装，具有优异的散热性能和机械强度，确保在恶劣工业环境下的长期稳定运行。
内置快速恢复二极管 (FRD)，优化反向恢复特性，减少开关应力。
四、理想应用领域
Ø 工业电机驱动 (变频器)：伺服驱动、主轴驱动、风机/水泵变频控制，提供高效、平稳的动力输出。
Ø 不间断电源 (UPS)：在线式、双变换式UPS的逆变和PFC升压级，确保关键负载的高效、可靠供电。
Ø 开关模式电源 (SMPS)：大功率服务器电源、通信电源、工业电源的功率因数校正 (PFC) 和 DC-DC 转换级。
Ø 焊接设备：逆变焊机、等离子切割机的功率转换核心。
Ø 新能源应用：太阳能逆变器 (DC-AC)、小型风力发电变流器。
Ø 感应加热：电磁炉、工业感应加热设备的谐振逆变器。
五、为什么选择 CMH75N65EH5？
u 性能与效率的标杆：场截止沟槽IGBT技术带来的低损耗是高效系统设计的基石。
u 可靠性的保证：高结温和坚固封装设计，满足工业应用的严苛要求。
u 广泛的应用覆盖：强大的电流电压规格，适配多种中高功率应用场景。
u 品质保障：源自高精密的制造设备与多年产品开发经验提供了卓越品质和稳定供应。
立即行动：
将 CMH75N65EH5集成到您的下一代电力电子设计中，体验其带来的高效率、高功率密度和卓越可靠性！释放系统潜能，降低运营成本，赢得市场竞争力。
获取样品与技术资料，请联系场效应授权代理商或访问官网。
型号速查：CMH75N65EH5
关键参数： VDS=650V, ID=90A
官方网站：WWW.CMOSFET.COM
（注：实际应用中请以场效应半导体官方数据手册为准，结合具体工况验证设计。）
让效率与可靠性，成为您产品的核心竞争力！
