CMP160N10是一款N沟道增强型沟槽工艺的功率MOSFET，其设计旨在满足高功率、高频率开关应用的苛刻要求。
场效应半导体超结系列的代表产品——CMH65R035SD，正是一款专为挑战极限而生的650V超级结MOSFET，为您的下一代高效电源系统提供强大助力。
CMH40N120T2是采用澳门太阳游戏城网站半导体先进工艺开发的一款沟槽栅-场截止型功率器件（IGBT）
CMB073N15是场效应半导体(Cmos)开发的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重优势于一体的功率MOSFET，已成为电力电子、汽车电子、工业控制、可再生能源领域的理想选择。
CMD60R180S6ZD是采用Cmos先进的超级结工艺开发的一款N沟道功率场效应管（MOSFET），其特点具有高频特性好，反向快恢复时间短，并且具有HBM>2kV的静电或浪涌防护能力等。
