CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重优势，成为工业电源、新能源汽车及消费类电子邻域的理想选择。
CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET，实现非常低的导通电阻和栅极电荷，通过使用优化的电荷耦合技术，提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的专有平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，非常适合用于高效开关电源。
CMF10N80是一款综合性能优秀的N沟道高压功率MOSFET，采用Cmos先进的平面工艺制造，其核心优势是抗冲击性高、高频特性好、不可控造因素成的特性离散性小等优势，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变储能及工业电磁阀小信号类应用等场景。
CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），采用Cmos先进的SGT工艺制成，具有高频特性好，转换效率高的特点。
