CMH50N30是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
选择场效应半导体CMF65R080SDMOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
CMSA010N04AU是场效应半导体（Cmos）一款高性能N沟道MOSFET，专为低压、大电流应用场景优化。
CMH80P10 MOSFET是场效应半导体（Cmos）开发的一款P沟道金属氧化物半导体元器件，其卓越的电气性能和可靠性，成为中低压、大电流场景下的核心器件。
