CMSL65R080SD MOSFET是基于超级结（Super Junction）工艺原理和技术由场效应半导体（Cmos）研发的一款具有革命性的高压功率开关管，具有效率高，承载功率大，散热优异和理想的FOM特性。
CMN5N20是一款采用SOT-23-3L小体积封装的N沟道增强型功率MOSFET，其关键规格定义了其应用边界
CMD330N15 MOSFET采用常规的TO-252与TO-251封装形式，极大地提高了客户应用场景中器件选型的兼容性。
专为严苛工况设计的CMP250N03MOSFET系列，正是您突破设计瓶颈、实现性能飞跃的理想解决方案！
CMH65R080SD MOSFET是采用场效应半导体先进的设计方案与封装工艺打造的一款超结工艺场效应晶体管。
