CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的专有平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，非常适合用于高效开关电源。
CMF10N80是一款综合性能优秀的N沟道高压功率MOSFET，采用Cmos先进的平面工艺制造，其核心优势是抗冲击性高、高频特性好、不可控造因素成的特性离散性小等优势，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变储能及工业电磁阀小信号类应用等场景。
CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），采用Cmos先进的SGT工艺制成，具有高频特性好，转换效率高的特点。
CMP107N20是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的SGT技术工艺生产，具有优秀的导通电阻RDS(ON)，是高频开关和同步整流的理想MOS，也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。
CMSC1653是一款采用场效应半导体先进沟槽工艺开发的N沟道型MOSFET产品，其最大特点是具有卓越的优值系数（FOM）。
