CMF80R450P功率MOSFET，是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的超级结技术，实现非常低的内阻RDS(on)和栅极电荷QG。
CMF90R450Q功率MOSFET，是采用澳门太阳游戏城网站（CMOS）先进的超级结技术，实现非常低的电阻和栅极电荷。
CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。具有超结MOS的各种优点，可以很容易快速地应用到新的和现有的电源设计中。
CMF65R105使用Cmos先进的超级结技术，可以实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术可以提供高的效率。
CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。
