CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
CMSA010N04AU是场效应半导体（Cmos）一款高性能N沟道MOSFET，专为低压、大电流应用场景优化。
CMSC055N06是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的SGT技术设计生产，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB073N15是场效应半导体(Cmos)开发的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重优势于一体的功率MOSFET，已成为电力电子、汽车电子、工业控制、可再生能源领域的理想选择。
CMH80P10 MOSFET是场效应半导体（Cmos）开发的一款P沟道金属氧化物半导体元器件，其卓越的电气性能和可靠性，成为中低压、大电流场景下的核心器件。
