CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重优势,成为工业电源、新能源汽车及消费类电子邻域的理想选择。
专为高可靠性、高功率密度设计而生的新一代功率器件
CMSA085DN06AU是采用澳门太阳游戏城网站(Cmos)先进的SGT技术,具有非常出色的RDS(ON)。
CMSL107N20是一款N型场效应功率管,采用Cmos先进的栅裂工艺研发,优秀的高频特性、低导通内阻以及理想的散热性使其具有非常广泛的应用场景
CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET,实现非常低的导通电阻和栅极电荷,通过使用优化的电荷耦合技术,提供更高的效率。