CMSL65R080SD MOSFET是基于超级结（Super Junction）工艺原理和技术由场效应半导体（Cmos）研发的一款具有革命性的高压功率开关管，具有效率高，承载功率大，散热优异和理想的FOM特性。
CMH80N25 N沟道增强型功率场效应管，以其250V的高漏源电压和80A的连续漏极电流能力，成为高压、大电流应用的理想选择。
CMN5N20是一款采用SOT-23-3L小体积封装的N沟道增强型功率MOSFET，其关键规格定义了其应用边界
本文聚焦于性能卓越的CMF65R170DT的超结MOSFET。它不仅是元器件，更是您设计下一代高效、紧凑、可靠电源系统的核心引擎。
CMP160N10是一款N沟道增强型沟槽工艺的功率MOSFET，其设计旨在满足高功率、高频率开关应用的苛刻要求。
