CMH50N30是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
CMB180N04-7是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的工艺和技术，是专为高电流开关应用而设计的N通道MOS场效应晶体管。
选择场效应半导体CMF65R080SDMOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是场效应半导体采用新的沟槽设计理念
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
