CMB011N04L-7是一款高性能的N沟道功率场效应管（MOSFET），采用先进的SGT工艺制成，适用于高功率、高效率的开关场景。
CMSC3812是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款双N沟道低压增强型场效应管,具有30V漏源电压（VDS）,常温条件下20A漏极电流（ID）,具备能瞬间抵抗高达80A的高脉冲电流冲击性。
CMB180P04G是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供非常优秀的RDS（ON），非常适用于先进的高效开关应用，广泛应用于负载开关、电池保护电路、LED控制、电机控制等。
CMD65P02是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款P沟道低压增强型场效应管,具有-20V漏源电压（VDS）和-65A漏极电流（ID）（常温条件）,具有抵抗高达-260A的脉冲电流的高性能抗冲击性。
CMP107N20是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的SGT技术工艺生产，具有优秀的导通电阻RDS(ON)，是高频开关和同步整流的理想MOS，也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。
