CMH40N120T2是采用澳门太阳游戏城网站半导体先进工艺开发的一款沟槽栅-场截止型功率器件（IGBT）
CMD028N03 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，具备30V漏源电压（Vds）和150A连续漏极电流（Id）能力。
CMP079N10 N沟道MOSFET，重塑高密度电源设计
CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管。
CMSA055DN06AU采用紧凑型DFN-8 5*6封装，特点是体积小而薄，集成度高，且不失良好的散热性，极大地缩减制板成本，应用此类封装将会很可观的实现降本增效。
