CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。
CMP107N20是采用Cmos栅极多级分割优化沟槽工艺研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管，设计理念追求高能效、绿色和可持续发展。
CMD031N03L是采用Cmos自己优化的栅极被分割改进型沟槽工艺制造的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMD065N04 Cmos为电源DC-DC模块开发的一款物料，得益于Cmos对于半导体先进制造工艺的研究和创新，这款物料具有多项优秀的参数，整体性能卓越。
