物料推选CMSL107N20
前言
随着材料科学的进步和半导体物理学科的突破，集成电路应用技术也得到长足发展。从体型硕大、功耗严重、效率低下转向小型化、高效率发展，这个过程集成电路的设计理念在不断更新迭代，逐步向绿色化、可持续性和生态友好型转变。
分立半导体元器件作为组成现代电路重要的器件之一，具有广泛的使用场景。尤其是，进入二十一世纪以来，随着半导体封装工艺的不断突破和高精密设备被攻克，制造工艺和制造水平的双向提升，很好地避开了“硅限”理论，使得MOSFET主要分立器件在提高集成性的基础上性能呈指数级增加，进一步刺激了集成电路发展。
场效应半导体简称Cmos，是集研发、生产、制造及销售于一体的综合性半导体器件供应企业。持续的技术创新和孜孜不倦的质量追求，使半导体器件具有技术先进、性能稳定，品质可靠，性价比高等特点，受众用户越来越来广泛，并且逐步迈向高端市场。
TOLL功率级封装是汽车电子，工业控制，航空航天等领域，具备稳定性好，安全性高等特点，很好地满足复杂、长时效工作环境。TOLL类封装作为Cmos主要的封装产品之一，在产品的稳定性，散热性以及性价比方面均具有优势，在高端消费类产品领域越来越得到用户认可。
CMSL107N20是一款N型场效应功率管，采用Cmos先进的栅裂工艺研发，优秀的高频特性、低导通内阻以及理想的散热性使其具有非常广泛的应用场景，成为汽车电子、医疗设备、通讯设备以及工业设备中主要的应用封装形式之一。
一、封装形式
下图是CMSL107N20封装形式和内部拓扑结构图，采用TOLL-8封装形式。
二、基础参数
1. 漏源电压(VDS)：200V
2. 连续漏极电流（ID@Tc=25℃）：120A（需结合散热条件）
3. 导通电阻RDS(on)：9mΩ（最大值）
4. 栅源阈值电压VGS(th)：4.0V（最大值）
5. 结到壳的热阻值RθJC：0.33℃/W
三、核心优势
CMSL107N20的显著优势：
高功率，漏源电压高达200V，连续漏极电流达到120A,具有非常高的功率通过能力。
散热性，晶圆到外壳的热阻值只有0.33℃/W,很好的满足高功率条件下的散热性。
高效率，饱和导通内阻最大只有9mΩ，在高功率且高脉宽条件下工作时损耗更低。
四、应用推荐及关键设计
CMSL107N20有着上述诸多优秀的特性，这些综合优势使其在实际应用中表现出良好的稳定性，以下是推荐使用场景。
MOSFET在PFC电路中的应用分析
总结
CMSL107N20是一款安全性突出综合性能强大的MOSFET,具有高效率，快恢复性，优秀的静电防护能力及高性价比等综合优势。消费电子、工业控制、智能家居，汽车电子邻域应用十分广泛，在电源设备、医疗美容，高频逆变器、具体到PFC电路、LLC等拓扑结构中适配性很高。
技术支持与资源获取
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