CMD30N10是采用Cmos沟槽工艺封测的一款N沟道增强型场效应晶体管。特点是，具有更低的闸间电容，拥有更优秀的开关特性，满足超高频率开关切换电路的应用。
近十年来，以智能手机、智能手表、智能眼镜等为代表的智能3C类穿戴设备呈现出爆炸式增长，与此同时，与之配套相关的电源类产品，如半导体材料、相关电子技术及产品设计均得到快速发展。
