CMF65R190SD：优秀开关电源MOS
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。这种组合，结合极低的开关、换向和传导损耗以及最高的鲁棒性，使得共振开关应用更加可靠、高效且轻便。提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。采用优化的电荷耦合技术，提供高效率。非常适合各类开关切换模式电源及充电电源。
卓越的电气特性
CMF65R190SD的主要电气特性包括：
耐压能力：CMF65R190SD的耐压（BVDSS）为650V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为20A。
雪崩能量：CMF65R190SD采用Cmos先进的超结技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为960mJ。
低EMI：CMF65R190SD采用Cmos先进的超结技术，应用时具有低EMI、易通过EMC测试的特点。
低热阻：CMF65R190SD采用TO-220F封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为2.78℃/W，有良好的散热能力。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF65R190SD的导通电阻（RDS(on)）最大为190mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。
低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。
适用范围广泛
CMF65R190SD 由于其优异的特性，适用于多种开关切换电源，MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。
通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMF65R190SD中，使其成为各种开关切换类电源应用中表现优秀的MOS。
