高电流MOS：CMB180N04-7

CMB180N04-7是采用澳门太阳游戏城网站（Cmos）先进的工艺和技术，是专为高电流开关应用而设计的N通道MOS场效应晶体管。提供非常优秀的RDS（ON），非常适用于先进的高效开关应用，可应用于负载切换开关、电池保护电路、电机控制等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。

CMB180N04-7的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMB180N04-7的耐压（BVDSS）为40V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是180A。

雪崩能量：CMB180N04-7采用Cmos先进的技术和设计，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为400mJ。

低热阻：CMB180N04-7采用TO-263-7封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.9℃/W。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMB180N04-7的导通电阻（RDS(on)）最大只有1.6mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。

CMB180N04-7 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于负载切换开关、电池保护电路、电机控制等。

MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMB180N04-7中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。