高耐压与大电流场景的可靠之选
CMH80P10 MOSFET是场效应半导体（Cmos）开发的一款P沟道金属氧化物半导体元器件，其卓越的电气性能和可靠性，成为中低压、大电流场景下的核心器件。以下是为您精心整理的应用场景与技术优势解析，助您轻松实现高效、稳定的系统设计。
CMH80P10核心优势速览。
一、封装形式
下面是CMH80P10封装形式和内部拓扑结构图，提供了TO-247、TO-3P、两种封装形式，并且可提供定制化封装，
二、基础参数
产品概述
CMH80P10是场效应半导体（Cmos）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，专为高耐压、大电流应用场景设计。其核心参数包括：
漏源电压（VDSS）：-100V
连续漏极电流（ID）：-80A（@Tc=25°C）
脉冲电流（IDM）：-320A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ Max（@VGS=-10V）
凭借高可靠性、低导通损耗和快速开关特性，CMH80P10成为工业、汽车及消费电子领域的理想选择。
三、核心优势
CMH80P10具有以下方面的核心优势。
高性价比：在-100V级P沟道MOSFET中提供优异的RDS(on)与低成本。
易驱动性：VGS(th) =-4V（最大值），兼容通用驱动IC（如IR2104S）。
强散热能力：TO-247与TO-3P封装支持加装散热片，适应持续高功率场景。
四、应用推荐
核心应用场景推荐
1. 开关电源与DC-DC转换器
CMH80P10的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低功率损耗，提升系统效率，适用于：
高压输入电源：如工业级AC-DC适配器。
降压/升压转换器：在电动车充电桩或可再生能源系统中，支持高电压输入条件下的稳定能量转换。
设计优势：
耐受-100V高压，适合48V及以上CAN系统的功率开关管。
TO-247/TO-3P封装搭配外接散热器，轻松应对持续大电流工况。
2. 电机驱动与逆变系统
在需要高边驱动（High-Side Switching）的电机控制场景中，CMH80P10作为P沟道器件可简化驱动电路设计：
电动工具：电钻、角磨机等无刷电机（BLDC）驱动。
工业自动化：传送带电机控制器。
车载逆变器：12V/24V转220V逆变系统，支持车载设备供电。
设计优势：
快速开关特性（低Qg）减少开关损耗，提升PWM控制响应速度。
高脉冲电流耐受能力（-320A），适应电机启停时的瞬时负载冲击。
3. 工业设备与能源管理
针对高可靠性要求的工业环境，CMH80P10可胜任以下角色：
电源开关与负载开关：用于PLC、UPS系统的电源路径管理。
光伏系统：太阳能MPPT（最大功率点跟踪）电路中的功率开关。
电池保护模块：锂电池组的高压充放电控制，防止过流/过压风险。
设计优势：
宽温度范围（-55°C至+150°C）适应严苛工况。
优异的雪崩能量（EAS=1058mJ）提升了系统抗瞬态干扰能力。
4. 汽车电子与电动车辆
在48V轻混系统（MHEV）及车载电子中，CMH80P10可满足高压需求：
48V电池管理系统（BMS）：充放电回路控制。
电动助力转向（EPS）：高边驱动电路。
LED车灯驱动：多通道大功率LED矩阵的恒流控制。
设计优势：
场效应半导体（Cmos）生产环境通过IATF-16949认证，CMH80P10兼容车规级可靠性标准。
低热阻封装减少温升，延长器件寿命。
立即行动
无论是升级现有设计还是开发新一代高耐压系统，CMH80P10都能以卓越性能为您的方案保驾护航。如需技术支持或样品申请，请联系场效应半导体（Cmos）客服或登录官网，获取定制化选型建议！
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注：具体参数请以Cmos官方数据手册为准，设计前建议进行热仿真与动态特性测试。
型号速查：CMH80P10
关键参数： VDS=-100V, ID=-80A, RDS(on)=25mΩ(@VGS=-10V)
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