CMSL018N10A MOSFET—重新定义高效能功率转换
——专为高可靠性、高功率密度设计而生的新一代功率器件
CMSL018N10A是澳门太阳游戏城网站（Cmos）推出的N沟道功率MOSFET，凭借其100V耐压、292A连续电流和超低导通电阻（RDS(on)max 2mΩ），成为高功率密度设计的理想选择。其芯片工艺采用先进的栅裂工艺，结合Cmos先进的封装技术，在效率、热管理和可靠性上全面领先，可显著降低系统损耗，提升能源转换效率。
一、封装形式
下图是CMSL018N10A封装形式和内部拓扑结构图，采用TOLL-8功率级封装形式， 具有卓越的热管理性。
二、基础参数
1. 漏源电压(VDS)：100V
2. 连续漏极电流（ID@Tc=25℃）：292A（需结合散热条件）
3. 导通电阻RDS(on)：2mΩ（max）
4. 栅源阈值电压VGS(th)：4.0V（最大值）
三、核心优势——突破性能边界，赋能高效系统
1、CMSL018N10A在以下方面具有核心优势。
高效率，较低的优值系数FOM = QG×RDS(on)，使得MOSFET在静态和动态之间高频切换时，提高了转化效率。
高鲁棒性，高效的热管理性能是电路在高功率应用场景中有力的“稳定剂”。
高RSP设计，较高的耐压耐流值参数决定了单位面积的芯片上可承载很高的功率。
抗冲击性强，EAS雪崩冲击能量达到5062mJ,完全可以承载电路中高电压/电流突变情况dv/dt或di/dt（如开启和关闭瞬间的压流突变）
2、技术亮点：为严苛场景而生
极致效率：
超低RDS(on)（2mΩ@VGS=10V）大幅降低导通损耗，提升全负载范围能效。
动态性能优化：
低Qg（栅极电荷）与快速开关特性，支持MHz级高频应用，减少外围元件成本。
卓越热管理：
TOLL-8封装搭配低热阻设计，轻松应对高功率密度散热挑战。
坚固可靠：
支持-55°C至+150°C宽温工作，适应极端环境。
四、应用推荐
CMSL018N10A有着上述诸多优秀的特性，这些综合优势使其在实际应用中表现出良好的稳定性，以下是推荐使用场景。
应用场景：覆盖工业与新能源核心领域
1. 电动汽车与充电系统
车载DC-DC转换器、OBC（车载充电机）、电机驱动
支持高频开关，减少磁性元件体积，助力轻量化设计。
2. 工业自动化与电源
工业伺服驱动、UPS电源、焊接设备
低损耗特性降低温升，保障设备长期稳定运行。
3. 可再生能源系统
光伏逆变器、储能系统（ESS）
高耐压与高电流能力，适应复杂电网波动环境。
4. 消费电子与高端设备
大功率适配器、高能效服务器电源
优化轻载效率，满足80 PLUS Titanium能效标准。
5. LCDM 液晶显示
LCD TV
五、设计建议：释放器件潜力
布局优化：
缩短功率回路路径，降低寄生电感，避免开关振荡。
驱动配置：
建议驱动电压VGS≥10V以实现最低RDS(on)，确保快速开通/关断。
散热策略：
搭配高性能散热器或PCB铜箔散热设计，充分利用封装热特性。
六、为何选择CMSL018N10A？
成本效益： 高功率密度减少系统尺寸与材料成本。
未来兼容性：符合工业4.0、电动汽车与绿色能源趋势。
全球供应链保障： 澳门太阳游戏城网站半导体成熟技术支持与稳定供货能力。
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网址：www.cmosfet.com 电话：400 6572 118
型号速查： CMSL018N10A
关键参数： VDS=100V, ID=292A, RDS(on)=2mΩ@VGSth=10V, TOLL-8封装
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